TC58BYG2S0HBAI6
TC58BYG2S0HBAI6
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- 描述
- TC58BYG2S0HBAI6是一款单1.8V 4Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (E2PROM)。该设备具有4224字节的静态寄存器,允许程序和读取数据在单元之间传输。它是一种串行访问存储器设备,利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,适用于需要高密度非易失性存储器数据存储的相机和其他系统。设备内部集成了ECC逻辑,每个528字节可以纠正8位读取错误。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58BYG2S0HBAI6
- 商品编号
- C17337418
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 340us | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
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