TC58BYG2S0HBAI6

4 Gbit CMOS NAND E2PROM

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描述: TC58BYG2S0HBAI6是一款单1.8V 4Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (E2PROM)。该设备具有4224字节的静态寄存器，允许程序和读取数据在单元之间传输。它是一种串行访问存储器设备，利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，适用于需要高密度非易失性存储器数据存储的相机和其他系统。设备内部集成了ECC逻辑，每个528字节可以纠正8位读取错误。
品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TC58BYG2S0HBAI6
商品编号: C17337418
商品封装: VFBGA-67(6.5x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	-
	擦写寿命	-
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能