我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
预售商品
TC58BYG2S0HBAI6实物图
  • TC58BYG2S0HBAI6商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
TC58BYG2S0HBAI6是一款单1.8V 4Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (E2PROM)。该设备具有4224字节的静态寄存器,允许程序和读取数据在单元之间传输。它是一种串行访问存储器设备,利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,适用于需要高密度非易失性存储器数据存储的相机和其他系统。设备内部集成了ECC逻辑,每个528字节可以纠正8位读取错误。
品牌名称
KIOXIA(铠侠)
商品型号
TC58BYG2S0HBAI6
商品编号
C17337418
商品封装
VFBGA-67(6.5x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量4Gbit
接口类型-
工作电压1.7V~1.95V
属性参数值
写周期时间(Tw)25ns
页写入时间(Tpp)340us
块擦除时间(tBE)3.5ms
工作温度-40℃~+85℃

数据手册PDF