- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT50GP60BG
APT50GP60BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT50GP60BG
- 商品编号
- C17335783
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 83ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 400V、26A时可实现200kHz运行
- 低栅极电荷
- 400V、41A时可实现100kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具有安全工作区（SSOA）额定值
- ECX-L23CM-106.250
- SG-8018CB 167.0400M-TJHSA0
- SIT8924AM-73-18E-5.000000
- 701-126
- 654L9213C2T
- SG-8018CA 27.6480M-TJHSA0
- XLH735086.000000X
- HCB121060-211L
- SIT8208AC-GF-25E-65.000000Y
- O8T205
- SG-8018CA 51.8917M-TJHSA0
- M83723/59-124ZR
- 4362CPRXB434M
- VPL16-3100
- SIT1602AC-22-33E-66.000000
- GCM31MR72A154JA37L
- SG-8018CE 23.0160M-TJHPA0
- SIT1602BC-12-XXN-4.000000
- 6-1971776-3
- SIT8208AI-23-28E-50.000000
- TFC-103-01-F-D-RA