PJX8805_R1_00001
2个P沟道 耐压:30V 电流:500mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJX8805_R1_00001
- 商品编号
- C17335251
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 990mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 137pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品概述
一款适用于 HF 至 1000 MHz 频段广播和工业应用的 120 W LDMOS 功率晶体管。
商品特性
- 当VGS为 -4.5V、ID为 -0.5A时,RDS(ON) < 390mΩ
- 当VGS为 -2.5V、ID为 -0.3A时,RDS(ON) < 560mΩ
- 当VGS为 -1.8V、ID为 -0.1A时,RDS(ON) < 990mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等设计
- 静电放电(ESD)防护达2KV HBM
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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