A1229LLHLT-T

这些霍尔效应锁存器是极其稳定且抗应力的传感器IC，特别适合在高达150℃的扩展温度范围内工作。通过新颖的施密特触发电路，可实现卓越的高温性能，该电路通过补偿霍尔元件的温度变化来保持动作点和释放点的对称性。此外，内部补偿提供的磁开关点会随温度变得更加灵敏，从而抵消通常随温度变化的磁场退化。这种对称能力使这些器件非常适合用于占空比是重要参数的脉冲计数应用。三款基本器件（A1225、A1227和A1229）除磁开关点外完全相同。每个器件在单个硅芯片上集成了电压调节器、霍尔电压发生器、温度补偿电路、信号放大器、施密特触发器和一个可吸收高达25mA电流的缓冲开漏输出。板载调节器允许在3.8至24V的电源电压下工作。部件编号后缀的第一个字符决定了器件的工作温度范围。后缀L适用于 -40℃至150℃。两种封装形式为大多数应用提供了磁优化封装。后缀LH是3引脚SOT23W表面贴装封装；后缀UA是3引脚超小型SIP通孔封装。这些封装为无铅（Pb）封装，引脚框架采用100%雾锡电镀。

• 对称开关点
• 卓越的温度稳定性
• 可在非稳压电源下工作
• 25mA开漏输出
• 反接电池保护
• 可由小型商用永磁体激活
• 固态可靠性
• 体积小
• 抗物理应力
• 增强的ESD结构，无需外部保护元件即可实现8kV HBM ESD性能
• 内部保护电路无需外部保护元件即可实现40V负载突降兼容性