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SIC1182K

单通道SiC MOSFET栅极驱动器，具备主动钳位和1200V增强隔离功能

描述: SIC1182K 是一款采用 eSOP-R16B 封装的单通道栅极驱动器，适用于碳化硅（SiC）MOSFET。Power Integrations 公司创新的固体绝缘 FluxLink 技术提供了加强型电流隔离。高达 ±8 A 的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动标称电流高达 600 A（典型值）的器件
品牌名称: Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
商品型号: SIC1182K
商品编号: C17330233
商品封装: eSOP-R16B
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	上升时间(tr)	475ns
	下降时间(tf)	447ns
	传播延迟 tpLH	265ns
	传播延迟 tpHL	270ns
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；短路保护(SCP)；过压保护(OVP)
	工作温度	-40℃~+125℃

商品概述

SIC1182K是一款采用eSOP-R16B封装的单通道栅极驱动器，适用于碳化硅（SiC）MOSFET。Power Integrations公司的革命性固态绝缘FluxLink技术提供了加强型电流隔离。高达±8 A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动标称电流高达600 A（典型值）的器件。初级侧和次级侧欠压锁定（UVLO）以及具有温度和工艺补偿输出阻抗的轨到轨输出等附加特性，确保了即使在恶劣条件下也能安全运行。此外，这款栅极驱动器IC具备一项新特性，通过单个感应引脚结合了短路保护（在导通阶段及导通期间）以及通过先进有源钳位实现的过压限制（在关断阶段）。如果被驱动的半导体器件提供电流感应端子，则可实现可调过流检测。单通道SCALE-iDriver™系列SIC1182K可驱动耐压高达1200 V的SiC MOSFET半导体器件，并在上级控制器和半导体器件之间提供加强型隔离。通过IN施加的逻辑输入（PWM）命令信号和通过VCC提供的初级电源电压均以GND为参考。通过SO监控半导体器件和SCALE-iDriver的工作状态。命令信号通过FluxLink隔离技术从初级侧（IN）传输到次级侧。GH在导通过程中提供正栅极电压并对半导体栅极充电。GL在关断过程中提供负栅极电压并对栅极放电。通过在SNS和半导体器件的漏极端子之间连接一个网络，可以实现短路保护和过压限制。在导通事件中，SNS检测短路，这将导致驱动器启动关断操作，以保护半导体器件免受短路损坏。在关断事件中，SNS检测关断过电压，并通过（先进有源钳位）将其限制在半导体器件耐压以下的安全值。如果半导体器件提供电流感应端子，则可实现可调过流检测，作为短路监测的替代方案。

商品特性

±8 A峰值栅极输出电流
集成FluxLink技术，提供加强型隔离
先进有源钳位
初级侧和次级侧欠压锁定（UVLO）
过流故障关断
短路电流故障关断
轨到轨稳定输出电压
次级侧单极性电源电压
适用于600 V / 650 V / 1200 V SiC MOSFET开关
高达150 kHz开关频率
传播延迟抖动±5 ns
-40 ℃至+125 ℃工作环境温度
高共模瞬态抗扰度
爬电距离和电气间隙为9.5 mm的eSOP封装
初级侧和次级侧欠压锁定保护，包括故障反馈
带电流感应端子的SiC MOSFET过流检测
超快短路监测
关断过压限制（先进有源钳位）
100%生产局部放电测试
100%生产高压合规测试
符合VDE V 0884-10加强绝缘认证
待UL 1577认证
无卤且符合RoHS标准

应用领域

通用和伺服驱动器
UPS、光伏、焊接逆变器和电源
其他工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	7.3A
	拉电流(IOH)	7.8A
	工作电压	4.75V~5.25V