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PJL9854_R2_00001

2个N沟道耐压:40V 电流:9A

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品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJL9854_R2_00001
商品编号: C17330196
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

适用于基站应用的250 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为869 MHz至960 MHz。测试信号：3GPP；测试模型1；64个专用物理信道（DPCH）；在互补累积分布函数（CCDF）中，每个载波在0.01%概率下的峰均比（PAR）为7.5 dB；载波间隔为5 MHz。在管壳温度（Tcase）为25 °C时的典型射频性能。

商品特性

当VGS为10 V、ID为8 A时,RDS(ON) < 12 mΩ
当VGS为4.5 V、ID为6 A时,RDS(ON) < 17 mΩ
高开关速度
改善的dv/dt能力
低栅极电荷
低反向传输电容
符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
符合IEC 61249标准的环保模塑料

应用领域

用于869 MHz至960 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	17mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	1.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	10nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.04nF
	反向传输电容(Crss)	84pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	117pF