商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 30V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@1mA,0.1mA | |
| 上升时间(tr) | 3us | |
| 下降时间 | 2us | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 50% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 80% | |
| 总功耗(Pd) | 240mW | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
VO215AT、VO216AT、VO217AT 是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。低输入电流下的高电流传输比（CTR）专为低功耗需求而设计，例如 CMOS 微处理器接口。
商品特性
- 高电流传输比
- 隔离测试电压：4000 VRMS
- 认证机构：
- UL
- cUL
- DIN EN 60747-5-5（VDE 0884-5），选项 1 可用
优惠活动
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