VO216AT
光耦合器,光电晶体管输出,低输入电流,带基极连接
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VO216AT
- 商品编号
- C17329152
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 30V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@1mA,0.1mA | |
| 上升时间(tr) | 3us | |
| 下降时间 | 2us | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 50% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 80% | |
| 总功耗(Pd) | 240mW | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
VO215AT、VO216AT、VO217AT 是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。低输入电流下的高电流传输比(CTR)专为低功耗需求而设计,例如 CMOS 微处理器接口。
商品特性
- 高电流传输比
- 隔离测试电压:4000 VRMS
- 认证机构:
- UL
- cUL
- DIN EN 60747-5-5(VDE 0884-5),选项 1 可用
- 621-025-368-513
- 3010-40-001-12-00
- SFEM032GB1ED1TO-I-5E-311-STD
- LTMM-122-02-G-D-SM-LC-TR
- SIT8208AC-G1-33S-66.000000X
- IPL1-105-01-L-D-P
- XHP50B-00-0000-0D0UG227H
- 0479-0-67-80-34-27-10-0
- 5923232313F
- SG-8018CG 50.4600M-TJHPA0
- GCM1555G1H8R1BA16J
- ER501A_R2_00001
- XMLDCL-00-0000-00C3ACBC1
- MTGBEZ-00-0000-0C00J027F
- PA3964.002NLT
- XPGBWT-L1-0000-00GF8
- TFM-150-02-S-D-LC-P-TR
- SG-8018CG 121.7600M-TJHSA0
- CHT70C2502MNT
- 61206023021
- RM064PJ271CS

