- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTGLQ150A120TG
高速沟槽+场截止IGBT4技术功率模块，具有低电压降、低泄漏电流、低开关损耗等特点，适用于焊接转换器、开关电源等
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGLQ150A120TG
- 商品编号
- C17327380
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 250A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 480A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 645nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 8.8nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 500pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 450pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 290ns；366ns | |
| 导通损耗(Eon) | 13mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 380ns；300ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高速沟槽 + 场截止 IGBT 4 技术
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 用于电源连接的引线框架
- 用于温度监测的内部热敏电阻
- 稳定的温度特性
- 非常坚固
- 可焊接端子，便于 PCB 安装
- 可直接安装到散热器（隔离封装）
- 低结到外壳热阻
- 由于 VCEsat 的正 TC，易于并联
- 低外形
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制
- SIT8008BI-21-YYN-2.000000
- MDM-31PCBRPT-A174
- SIT1602BC-22-XXE-4.000000
- 213624-1
- ZSS-110-01-G-D-480
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- ZSS-107-04-G-D-815
- SIT9365AI-2E3-33N98.304000
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- BOARDWITH6MMOOLSENSOR
- SIT8008BI-71-YYE-24.545454
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