商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 700W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 312pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.04pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 97pF |
商品概述
基于先进耐用技术(ART),这款700 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗(ISM)、广播及非蜂窝通信等广泛应用领域而设计。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至450 MHz。
商品特性
- 高击穿电压允许在VDS = 48 V时进行E类操作
- 适用于VDS = 50 V和55 V
- 最高可在VDS = 55 V下通过认证
- 在30 V至55 V范围内进行特性表征,以支持广泛的应用
- 集成双面ESD保护,允许进行C类操作并实现晶体管的完全关断
- 具有出色的耐用性,无器件性能退化问题
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作而设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像(MRI)系统
- 二氧化碳(CO2)激光器
- 粒子加速器
- 广播
- 调频(FM)广播
- 甚高频(VHF)电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频(UHF)雷达
- GCM1885G2A200GA16D
- 180-062-113R051
- CBC25W3S10HT2X
- GMA.1B.040.DS
- 1473562-6
- XD16AWT-H0-0000-00000UG3E
- RD15M10JT2S
- 5-102448-7
- SPMWH1221FD7GBPKSB
- CPPC7L-A5BP-25.0TS
- SG-8018CB 14.218180M-TJHSA0
- 107384-HMC492LP3
- SG-8018CE 18.2800M-TJHSA0
- 627-5W1-224-5N5
- M80-5103822
- T1M-03-GF-S-RA-TR
- XTEAWT-E0-0000-000000GE2
- SG-8018CA 62.1484M-TJHPA0
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- SG-8018CE 6.1760M-TJHSA0
- XQEAWT-H0-0000-00000BFE2

