KITDRIVER2EDF7275FTOBO1

EiceDRIVER™ 2EDF7275F非常适合在嘈杂的高功率开关环境中对高端和低端MOSFET进行初级侧控制，以实现稳健稳定的运行。强大的4 A/8 A源极/漏极双路栅极驱动器在驱动诸如CoolMOS™或OptiMOS™等高、中压MOSFET时能够实现快速导通/关断。两个输出通道均独立隔离，可灵活用作具有非常高的150 V/ns共模瞬态抗扰度（CMTI）的浮动栅极驱动器。VDDi输入电源支持宽电压范围的SLDO模式，以节省板载LDO。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，有峰值电流为1 A/2 A的产品变体EiceDRIVER™ 2EDF7175F，采用具有4 mm爬电距离的DSO - 16窄体封装。2EDF7275F的输入到输出是功能隔离的，目前用于较大功率的PCB设计中，或者用于将功率环路中的开关噪声与微控制器隔离开。凭借其大于150 V/ns的共模噪声抗扰度，2EDF是目前针对具有简单CMOS电平PWM输入的高端、低端半桥拓扑结构最稳健的解决方案之一。2EDF中的高端驱动器电源可以采用低成本的自举方法实现。EiceDRIVER™隔离栅极驱动器系列在温度和生产差异方面具有一致的性能和定时精度，这使得它们易于在功率级或多相、多级设计中使用，并能在高性能功率转换应用中进一步提高效率。

• 提供4 A/8 A和1 A/2 A源极/漏极电流
• 传播延迟典型值为37 ns，通道间失配为3 ns
• 最大延迟变化约14 ns
• 隔离和驱动器集成在一个封装中
• 由于低导通电阻，功耗更低
• 输出级具有5 A反向电流能力
• 浮动驱动器能够处理较大的电感电压过冲和下冲
• 非常高的共模瞬态抗扰度CMTI > 150 V/ns
• 具有欠压锁定功能以保护开关
• 输出到输出通道隔离
• 输入到输出通道隔离
• 半桥中的开关损耗更低，因为导通/关断快速准确
• 非常适合新的数字控制高分辨率PWM控制
• 取代传统的笨重PT脉冲变压器或昂贵的高速数据耦合器和分立驱动器
• 更凉爽的栅极驱动器封装
• 无需两个昂贵的保护二极管
• 防止直通（EOS）
• 支持去耦并限制di/dt开关和振铃噪声
• 可靠的无芯CT变压器PWM信号链
• 可灵活分配任何驱动器通道，如HS + LS、HS + HS、LS + LS或在1个HS上实现2倍最大电流
• 用于初级或次级侧控制的功能隔离

• 隔离式AC - DC
• DC - DC半桥拓扑