FZ825R33HE4DBPSA1
FZ825R33HE4DBPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FZ825R33HE4DBPSA1
- 商品编号
- C17322799
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 2400kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 3.3kV | |
| 集电极电流(Ic) | 825A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 1650A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14uC@1800V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 93.5nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 2.67nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 集电极 - 发射极额定电压(VCES) = 3300 V
- 额定集电极电流(ICnom) = 825 A / 集电极重复峰值电流(ICRM) = 1650 A
- 低栅极电荷(Qg)和集电极 - 发射极电容(Cres)
- 高直流稳定性
- 高短路能力
- 低开关损耗
- 低集电极 - 发射极饱和电压(VCE,sat)
- 工作结温(Tvj,op) = 150℃
- 沟槽型 IGBT 4
- 无与伦比的鲁棒性
- 集电极 - 发射极饱和电压(VCESat)具有正温度系数
- 高电流密度
- 采用 AlSiC 基板,提高热循环能力
- 高功率密度
- 绝缘基板
- 封装的 CTl > 600
- 符合 RoHS 标准
应用领域
高功率转换器、中压转换器、电机驱动器、牵引驱动器、UPS 系统
- SIT8208AC-GF-33S-74.176000X
- 638-026-231-052
- GCM1885C1H7R5CA16D
- VTC100-102K-RC
- GCM21BR71H124MA37L
- EVAL-ADXRS453Z-M
- XMLBWT-02-0000-000HT50Z5
- SIT8208AI-2F-18E-14.000000Y
- SIT8208AC-8F-33E-8.832000T
- 1053142208
- TP75A-L25CQ25T2-212.500M-TR
- A-DF 25 A/KG-T4S
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- 629-21W1650-2N4
- XMLBEZ-00-0000-0D0UU430F
- XBDAWT-00-0000-00000LFD2
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- 637-078-632-046
- 637-M15-330-BN2
- SIT8208AI-3F-33E-20.000000Y
- 680S11W1103L201

