VO617A-9X017T
DC 5.3kV
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- 描述
- 额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管,该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VO617A-9X017T
- 商品编号
- C17321711
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.35V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5.3kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@5mA,5mA | |
| 上升时间(tr) | 4.6us | |
| 下降时间 | 15us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 200% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 400% | |
| 总功耗(Pd) | 200mW | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
额定温度为110℃的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓红外发光二极管,该二极管与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为2.54 mm。选择选项6和选项8时,爬电距离和电气间隙大于8.0 mm。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,在最高400 VRMS或直流工作电压下具备加强绝缘性能。
商品特性
- 工作温度范围:-55℃至+110℃
- 电流传输比(CTR)随正向电流变化具有良好的线性度
- 隔离电压:5300 VRMS
- 集电极 - 发射极电压高,VCEO = 80 V
- 饱和电压低
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 开关时间快
- 电流传输比(CTR)衰减小
- 耦合电容低
- 环保型
- 可端部堆叠,间距为0.100英寸(2.54 mm)(2008年5月起)
- 共模干扰抗扰度高
应用领域
- 交流适配器
- 开关电源(SMPS)
- 可编程逻辑控制器(PLC)
- 工厂自动化
- NHQ153B400T10
- GCM1885C2A8R2CA16D
- 2637490000
- 1511181136
- 516-038-542-636
- AWVS00606020R50T00
- SIT8208AI-3F-33E-19.200000T
- MHDEWT-0000-000C0HG440G
- 516-120-000-212
- 0741621260
- EVAL PLS8-US REL. 4.0
- 772-E09-103R001
- CDR6D23MNNP-2R7NC
- SG-8018CA 6.0000M-TJHPA0
- SMA-B500LE B/W
- XPLAWT-02-0000-000HU60F6
- A-DF 15 PP/Z-BK
- 638-026-631-271
- 1511175112
- FMP1T148
- SG-8018CB 9.788230M-TJHPA0


