商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 三相桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 238A | |
| 耗散功率(Pd) | 674W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 430nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.02nF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ |
商品概述
MSCSM70TAM10TPAG器件是一款三相桥臂700V、238A碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。
商品特性
- SiC功率MOSFET
- 高速开关
- 低导通电阻(RDS(on))
- 超低损耗
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 氮化铝(AlN)基板,提高热性能
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动
- SIT8008BIB71-28E-100.000000
- M22XP-ASF10-E30-Y
- MS31818CA
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- ZSS-110-05-L-D-750
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