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DMP2110UVTQ-7
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2110UVTQ-7
- 商品编号
- C17320863
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V,1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.01W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 443pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大限度降低导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度高达+175°C，适用于高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON)，最大限度降低导通损耗
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极具备静电放电保护
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 完全无铅，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- 无线充电-DC-DC转换器-电源管理
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