- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSCGLQ50H120CTBL2NG
MSCGLQ50H120CTBL2NG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCGLQ50H120CTBL2NG
- 商品编号
- C17320649
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 110A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 180A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.77nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 185pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 160pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 366ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
MSCGLQ50H120CTBL2NG器件是一款1200 V/50 A的全桥高速IGBT4功率模块。除非另有说明，所有额定值均在结温TJ = 25 ~ 25℃条件下给出。注意：这些器件对静电放电敏感，必须遵循正确的处理程序。
商品特性
- 高速IGBT4：低压降、低漏电流、低开关损耗
- SiC肖特基二极管：零反向恢复、零正向恢复、开关特性与温度无关、正向电压VF具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 超低重量和外形
- 开尔文发射极，便于驱动
- 采用厚铜Si₃N₄衬底，提高热性能
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 扩展的温度范围
应用领域
- 高可靠性电源系统
- 高效AC/DC和DC/AC转换器
- 电机控制
- 1617993
- SIT8208AC-33-28S-14.000000
- SIT9365AI-2B1-33E53.125000
- M85049/8-8N
- BGF.1M.200.XAZ
- 5923030826SF
- DF1B-6P-2.5DS(01)
- ISO1042DWVEVM
- 150-V3-318-00-106161
- 2609019281001
- SIT8208AI-21-28E-77.760000
- SIT1602BC-82-XXS-19.200000
- 21_N-50-3-5/133_NE
- ESQT-124-03-S-D-309
- LMK03318EVM
- 3QHM53C1.0-35.328
- XPLAWT-00-0000-000BV6051
- SIT9365AC-4B2-28E160.000000
- SIT1602BC-31-33N-33.333300
- COM-11971
- SIT9365AC-2E3-30E200.000000