商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 520A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.52V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 200mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 600mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 重复峰值电压：NTE5377的VDRM、VRRM为600V，NTE5378为1200V
- 非重复峰值反向阻断电压：NTE5377的VRSM为700V，NTE5378为1300V
- 平均导通状态电流（180°导通，半正弦波，Tc = +75°C），IT(AV)为330A
- 均方根导通状态电流（直流，Tc = +75°C），IT(RMS)为520A
- 峰值单周期非重复浪涌电流（正弦半波，初始Tj = +125°C），无电压重新施加时，t = 10ms为9000A，t = 8.3ms为9420A；100% VRRM重新施加时，t = 10ms为7570A，t = 8.3ms为7920A
- 最大熔断I²t（正弦半波，初始Tj = +125°C），无电压重新施加时，t = 10ms为405kA²s，t = 8.3ms为370kA²s；100% VRRM重新施加时，t = 10ms为287kA²s，t = 8.3ms为262kA²s
- 最大熔断I²√t（t = 0.1至10ms，无电压重新施加）为4050kA²√s
- 阈值电压低电平值（16.7%×π×IT(AV) < I < π×IT(AV)），VT(TO)1为0.834V
- 阈值电压高电平值（I > π×IT(AV)），VT(TO)2为0.898V
- 导通状态斜率电阻低电平值（16.7%×π×IT(AV) < I < π×IT(AV)），rₜ₁为0.687mΩ
- 导通状态斜率电阻高电平值（I > π×IT(AV)），rₜ₂为0.636mΩ
- 最大导通状态电压（Ipₖ = 1000A，tp = 10ms正弦脉冲），VTM为1.52V
- 最大保持电流（Tj = +25°C，阳极电源12V电阻负载），IH为600mA
- 典型闩锁电流（Tj = +25°C，阳极电源12V电阻负载），IL为1000mA
- 最大非重复导通电流上升率，dI/dt（门极驱动20V，20Ω，tr ≤ 1μs，阳极电压 ≤ 80% VDRM）为1000A/μs
- 典型延迟时间（门极电流A，dIg/dt = 1A/μs，Vd = 0.67% VDRM），td为1.0μs
- 典型关断时间（ITM = 550A，dI/dt' = 40A/μs，VR = 50V，dV/dt = 20V/μs，门极0V 100Ω，Δtp = 500μs）为100μs
- 最大关断状态电压临界上升率（至80% VDRM），dv/dt为500V/μs
- 重复峰值关断状态电流（在额定VDRM下），IDRM为50mA
- 重复峰值反向电流（在额定VRRM下），IRRM为50mA
- 最大峰值门极功率（tp ≤ 5ms），PGM为10W
- 最大平均门极功率（f = 50Hz，占空比 = 50%），PG(AV)为2W
- 最大峰值正门极电流（tp ≤ 5ms），IGM为3A
- 最大峰值正门极电压（tp ≤ 5ms），+VGM为20V
- 最大峰值负门极电压（tp ≤ 5ms），-VGM为5V
- 触发所需的典型直流门极电流（阳极到阴极施加12V），Tj = -40°C时为200mA，Tj = +25°C时典型值为100mA，最大值为200mA，Tj = +125°C时为50mA
- 触发所需的典型直流门极电压（阳极到阴极施加12V），Tj = -40°C时为2.5V，Tj = +25°C时典型值为1.8V，最大值为3.0V，Tj = +125°C时为1.1V
- 不触发的最大门极电流，IGD为10mA
- 不触发的最大门极电压，VGD为0.25V
- 最大工作结温范围，TJ为 -40°C至 +125°C
- 最大存储温度范围，Tstg为 -40°C至 +150°C
- 最大热阻，结到外壳（直流工作），RthJC为0.10K/W
- 最大热阻，外壳到散热器（安装表面光滑、平整且涂有油脂），RthC - HS为0.3K/W
- 安装扭矩，±10%（无润滑螺纹）为48.5N·m（425lbf·in）