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HFA3096BZ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HFA3096BZ
商品编号: C17316670
商品封装: SOIC-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.6克(g)

商品参数

商品概述

HFA3046、HFA3096、HFA3127和HFA3128是超高频晶体管阵列，采用瑞萨互补双极UHF - 1工艺制造。每个阵列由在同一单片衬底上的五个介质隔离晶体管组成。NPN晶体管的特征频率（fT）为8GHz，PNP晶体管的特征频率（fT）为5.5GHz。两种类型的晶体管均具有低噪声（3.5dB）特性，非常适合用于高频放大器和混频器应用。HFA3046和HFA3127是全NPN阵列，HFA3128是全PNP晶体管阵列，HFA3096是NPN - PNP组合。可访问单个晶体管的每个端子，以实现最大的应用灵活性。这些晶体管阵列的单片结构使五个晶体管具有紧密的电气和热匹配特性。应用笔记AN9315说明了这些器件作为射频放大器的使用方法。

商品特性

NPN晶体管特征频率（fT）：8GHz
NPN电流增益（hFE）：130
NPN厄利电压（VA）：50V
PNP晶体管特征频率（fT）：5.5GHz
PNP电流增益（hFE）：60
PNP厄利电压（VA）：20V
1.00Hz时的噪声系数（50Ω）：3.5dB
集电极到集电极泄漏电流：<1pA
晶体管之间完全隔离
引脚与行业标准3XXX系列阵列兼容
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

甚高频/超高频放大器、甚高频/超高频混频器、中频转换器、同步检测器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	NPN+PNP
	集电极电流(Ic)	37mA
	集射极击穿电压(Vceo)	12V
	耗散功率(Pd)	150mW
	直流电流增益(hFE)	40

	属性	参数值
	特征频率(fT)	8GHz
	集电极截止电流(Icbo)	10nA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	500mV
	工作温度	-55℃~+125℃
	射基极击穿电压(Vebo)	6V