TCDT1101G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.25V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载电压 | 32V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,10mA | |
| 上升时间(tr) | 7us | |
| 下降时间 | 6.7us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 40% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 80% | |
| 总功耗(Pd) | 200mW | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
TCDT1100、TCDT1100G 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 6 引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接,具有抗干扰能力。
商品特性
- 隔离测试电压 5000 VRMS
- 高共模抑制比(相位-频率)
- 无基极端连接,提高抗干扰能力
- 电流传输比(CTR)分为 4 组,符合 RoHS 标准
- 绝缘厚度 ≥0.4 mm
- 根据 VDE0303/IEC 60112 标准,相比漏电起痕指数:CTI ≥275
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,符合 WEEE 指令 2002/96/EC
应用领域
- 开关电源
- 线路接收器
- 计算机外设接口
- 微处理器系统接口
- 根据安全等级 II(加强隔离)用于防止触电的安全保护隔离电路:- 适用于电源电压 ≤300 V 的 I - IV 类应用 - 适用于电源电压 ≤600 V 的 I - III 类应用,或根据 DIN EN 60747 - 5 - 5 标准
- M80-5223442
- BPSD00100965102M00
- PCSV65-560M-RC
- SCM089100
- SIT8208AC-2F-28E-33.600000Y
- 627W2W2-622-1N2
- TSD-S2CH1-C11
- TFM-103-02-L-DH-TR
- 629-25W3250-4T4
- 175-161-JTW
- SG-8018CA 44.2370M-TJHSA0
- PE30LLFG472KAB
- SG-8018CA 83.3360M-TJHSA0
- 628-050-320-249
- MIH302548AH-25.000MHZ-T
- AFCT-5715LZ-C
- L301314A-301LHF
- CLA1B-MKW-XD0F0A53
- S12505T-19.200-X-R
- O256Y064BGPP3N0000
- M-SFP-SX/LC

