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DMN61D8LVT-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:630mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN61D8LVT-13
- 商品编号
- C17314525
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@3V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.09W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 740pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.9pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 20000 个)个
起订量：20000 个10000个/圆盘
总价金额：
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