SIP32455EVB

SiP32454和SiP32455是压摆率受控的集成高端负载开关，工作输入电压范围为0.8 V至2.5 V。它们采用n沟道MOSFET开关元件，导通电阻为28 mΩ。在1.2 V时压摆率为1 ms，2.5 V时为1.5 ms，可限制浪涌电流并将开关噪声降至最低。这些器件的低电压逻辑控制阈值可直接与低电压控制I/O接口，无需额外的电平转换或驱动。逻辑控制EN引脚集成了一个2 MΩ下拉电阻。SiP32454集成了开关关断输出放电电路。SiP32454和SiP32455均采用紧凑的晶圆级CSP封装，WCSP4尺寸为0.8 mm x 0.8 mm，间距为0.4 mm。SiP32454和SiP32455是设计用作高端负载开关的n沟道功率MOSFET。启用该器件后，电荷泵将功率MOSFET的栅极充电至恒定的栅源电压，以实现快速导通时间。基本恒定的栅源电压可在整个输入电压范围内保持低导通电阻。SiP32454和SiP32455设计有缓慢的压摆率，以在导通期间将浪涌电流降至最低。由于输出n沟道的主体始终连接到GND，因此在输出电压高于输入电压时可防止电流回流到输入。SiP32454特别集成了一个有源输出下拉电阻，用于在器件关断时释放输出电容。

• 低输入电压，0.8 V至2.5 V
• 低导通电阻，典型值28 mΩ
• 压摆率控制
• 带迟滞的低逻辑控制
• 禁用时反向电流阻断
• SiP32454集成输出放电开关
• EN引脚集成下拉电阻
• 4凸点WCSP封装，尺寸0.8 mm x 0.8 mm，间距0.4 mm

• 电池供电设备
• 智能手机
• GPS和PMP
• 计算机
• 医疗保健设备
• 工业和仪器
• 手机和便携式媒体播放器
• 游戏机