- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W |
商品概述
1T1AG器件是一款相臂1200V、89A碳化硅（SiC）MOSFET。
商品特性
- SiC功率MOSFET
- 低导通电阻（RDS(on)）
- 高温性能
- 开尔文源极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 氮化铝（AlN）基板，提升热性能
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动
- 809-190-13G6-00
- 5690113100F
- 1773640000
- 6173.0002
- WP1B2
- SIT1602BI-32-XXE-19.200000
- 117E8
- 3QHM572D3.0-55.296
- 87010011
- SIT1602BC-11-28S-54.000000
- SIT8208AI-32-28S-26.000000
- 08-0600-11
- SIT1618AE-22-33S-20.000000
- 8230-30-RC
- 25QHM53C1.5-44.000
- MV3450
- SIT1602BC-81-30N-33.300000
- SIT8208AC-22-28S-33.333300
- CPRO33-16.000
- SIT8008BI-13-33S-7.500000
- E200EWA