Name: NTE Electronics NTE5561
Brand: NTE Electronics
SKU: C17311076
Price: 2108.89 CNY
Availability: OutOfStock

重复峰值电压（VDRM）：NTE5561为1600V，NTE5594为200V，NTE5595为600V，NTE5596为1200V
重复峰值反向电压（VRRM）：NTE5561为1600V，NTE5594为200V，NTE5595为600V，NTE5596为1200V
非重复峰值关态电压（VDSM）：NTE5561为1600V，NTE5594为200V，NTE5595为600V，NTE5596为1200V
非重复峰值反向阻断电压（VRSM）：NTE5561为1700V，NTE5594为300V，NTE5595为700V，NTE5596为1200V
平均导通状态电流（半正弦波，IT(AV)）：散热片温度+55℃双侧冷却时为820A，+85℃单侧冷却时为320A
均方根导通状态电流（IT(RMS)，散热片温度+25℃双侧冷却）为1640A
连续导通状态电流（IT，散热片温度+25℃双侧冷却）为1400A
峰值单周期浪涌（非重复）导通状态电流（持续10ms，60% VRRM重新施加时）为11500A，VR ≤ 10V时为12650A
最大允许浪涌能量（VR ≤ 10V）：10ms持续时间为8000000A²s，3ms持续时间为5900000A²s
峰值正向栅极电流（阳极相对于阴极正）为20A
峰值正向栅极电压（阳极相对于阴极正）为22V
峰值反向栅极电压为5V
平均栅极功率（PG）为4W
峰值栅极功率（脉冲宽度100μs）为120W
关态电压上升率（至80% VDRM，栅极开路）为500V/μs
关态电流上升率（栅极驱动20V、20Ω，tr ≤ 1μs，阳极电压 ≤ 80% VDRM）：重复时为500A/μs，非重复时为1000A/μs
工作温度范围为 -40℃至 +125℃
存储温度范围为 -40℃至 +150℃
峰值导通状态电压（ITM = 1700A）为1.75V
正向导通阈值电压为1.08V
正向导通斜率电阻为0.395Ω
重复峰值关态电流（在VDRM下）为60mA
重复峰值反向电流（在VRRM下）为60mA
触发所有器件所需的最大栅极电流（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 2A）为200mA
触发所有器件所需的最大栅极电压（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 2A）为3V
最大保持电流（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 2A）为1A
不会触发任何器件的最大栅极电压为0.25V
热阻（结到散热片，最大正向压降器件）：双侧冷却为0.044℃/W，单侧冷却为0.088℃/W

	属性	参数值
	商品目录	晶闸管(可控硅)/模块
	可控硅类型	1个单向可控硅
	断态峰值电压(Vdrm)	1.6kV
	通态电流(It)	1.64kA
	浪涌电流	-
	门极平均耗散功率(PG(AV))	-

	属性	参数值
	通态峰值电压(Vtm)	1.75V
	门极触发电流(Igt)	200mA
	门极触发电压(Vgt)	3V
	保持电流(Ih)	1A
	工作温度	-40℃~+125℃

NTE5561

商品参数

商品特性

数据手册PDF