NCP-NCV51563D2PAK7LGEVB

NCP51563是隔离式双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51563具有短且匹配的传播延迟。两个独立的、输入到每个输出之间5 kVRMS的内部电流隔离，以及两个输出驱动器之间的内部功能隔离，允许最高1850 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在分别设置为高电平或低电平时，可同时启用或禁用两个输出，对应启用或禁用模式。NCP51563还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

• 灵活：双低端、双高端或半桥栅极驱动器
• 两个输出驱动器具有独立的欠压锁定（UVLO）保护
• 输出电源电压范围为6.5 V至30 V，MOSFET的UVLO阈值为5 V、8 V，SiC的UVLO阈值为13 V和17 V
• 峰值源电流4.5 A，峰值漏电流9 A
• 共模瞬态抗扰度（CMTI）> 200 V/ns
• 典型传播延迟36 ns，每通道最大延迟匹配5 ns，最大脉冲宽度失真5 ns
• 用户可编程输入逻辑：通过ANB实现单输入或双输入模式，启用或禁用模式
• 用户可编程死区时间
• NCP51563产品系列宽体SOIC - 16封装评估板
• VDD电源范围为3 V至5.0 V，VCCA/VCCB电源范围高达30 V
• 4.5 A和9 A的源/漏电流驱动能力
• TTL兼容输入
• INA、INB和ANB引脚允许的输入电压高达18 V
• 板载微调电位器用于死区时间编程
• INA、INB和ENA/DIS引脚采用3引脚排针
• ANB引脚采用2引脚排针
• 支持使用MOSFET和SiC MOSFET进行半桥测试，并可连接外部功率级