商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 880W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电机控制
- 背光照明 电源管理功能 直流-直流转换器
商品特性
- 浪涌低、开关损耗低。
- 可实现高速开关。
- 降低温度依赖性。
应用领域
- 电机驱动
- 逆变器、转换器
- 光伏、风力发电
- 感应加热设备
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