商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 880W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 电机控制
- 背光照明 电源管理功能 直流-直流转换器
商品特性
- 浪涌低、开关损耗低。
- 可实现高速开关。
- 降低温度依赖性。
应用领域
- 电机驱动
- 逆变器、转换器
- 光伏、风力发电
- 感应加热设备
- DAMV-3C3S-N-K126
- RX-550M-SFP-C
- SXO75P3A271-200.000M
- SIT8208AC-33-33E-18.432000
- 3QHM572D2.0-83.330
- SIT1602BC-13-XXS-75.000000
- 8131-0-15-80-30-84-10-0
- 25QHM572C1.0-3.6846
- SIT1602BI-32-XXE-66.000000
- SIT8208AC-83-28E-48.000000
- PTHF25R-121VM
- 09670370612
- 660-032NF19H5-05
- 09653215702
- SIT8208AI-23-25E-4.000000
- SIT8208AI-82-28S-32.768000
- 334-40-163-00-020000
- PS-34PE-D4T1-LP1
- 660-024NF25H7-05
- TFML-140-02-H-D-A
- DBMZ-17H2P-N-K127

