商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
NPT2022氮化镓硅基高电子迁移率晶体管(HEMT)D模式放大器针对直流至2 GHz的操作进行了优化。该器件支持连续波、脉冲和线性操作,在带有螺栓固定法兰的行业标准塑料封装中输出功率可达100 W。该放大器采用SIGANTIC专有工艺制造,这是一种专有的氮化镓硅基技术。在评估板(30密耳厚的RO4350)上对部件进行测量。PCB的电气和热接地通过标准电镀的密集填充过孔阵列实现(参见推荐的过孔图案)。匹配通过集总元件和传输线的组合实现,如上述简化原理图所示。
商品特性
- 氮化镓硅基高电子迁移率晶体管(HEMT)D模式放大器
- 适用于线性和饱和应用
- 可在直流至2 GHz范围内调谐
- 48 V工作电压
- 在900 MHz时增益为20 dB
- 在900 MHz时漏极效率为60%
- 100%射频测试
- TO - 272封装
- 符合RoHS标准,可承受260°C回流焊
应用领域
陆地移动无线电、电子设备、无线基础设施、ISM应用、VHF/UHF/L/S波段
其他推荐
- RCS1608F471CS
- ELM25003HD
- 1053094805
- Q8010R4TP
- PL9112T
- 0436500924
- XPGBWT-01-0000-00KE5
- SG-8101CA 117.0000M-TCHSA0
- GR CSHPM1.23-KRKT-1-0-350-R18
- MPXV1D1040L330
- 6STD37SAM99B20X
- SIT8208AC-GF-28E-30.000000T
- CLP-106-02-L-D-BE-A-TR
- 627W3W3-324-1N5
- GCM1885C2A8R5DA16J
- XQEAWT-H0-0000-00000LDF8
- SG-8018CB 27.5000M-TJHSA0
- MLEAWT-A1-R250-0003E3
- 1054302303
- 2010213174
- S4924R-271K
