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PJT7808_R1_00001
2个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT7808_R1_00001
- 商品编号
- C17309541
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 67pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
适用于基站应用的400 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz以及1930 MHz至1995 MHz。
商品特性
- 低电压驱动(1.2V)
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特别设计
- 具备ESD保护
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 适用于1805 MHz至1880 MHz以及1930 MHz至1995 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器
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