商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 518nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - |
商品特性
- CoolMOS™：
- 超低漏源导通电阻（RDSon）
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 并联碳化硅肖特基二极管：
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压（VF）具有正温度系数
- 开尔文源极，易于驱动
- 极低杂散电感
- 用于功率连接的引脚框架
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高度集成
- 优点：
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上（绝缘封装）
- 结到外壳的热阻低
- 功率和信号引脚均可焊接，便于 PCB 安装
- 薄型设计
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电机控制
- 开关模式电源
- 不间断电源
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