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IKW75N65ET7XKSA1
650V 80A
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- 描述
- 特性：VCE = 650V。 IC = 75A。 极低的 VCE,sat。 低关断损耗。 短尾电流。 降低电磁干扰 (EMI)。应用：伺服驱动器。 通用驱动器 (GPD)
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW75N65ET7XKSA1
- 商品编号
- C17307379
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 输出电容(Coes) | 135pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 225A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@0.75mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 435nC | |
| 输入电容(Cies) | 4.46nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 28ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 310ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.17mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.23mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 100ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 46pF |
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