商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.333kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 506pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
- MP1-L-0025-103-5%-MP
- 342-10-147-00-594000
- SIT1602BC-73-30N-66.666000
- 09652636813
- M83723/60-222RR
- SIT1602BC-31-30S-6.000000
- SIT9365AI-4B2-30N100.000000
- FTLX8571D3BCL-EX-C
- T507064064AQ
- SIT9365AI-1E2-33E156.250000
- 570FCB002198DG
- 0936000474
- 040-0105-000
- 0019092066
- MDB1-25PSP
- SIT8008AI-83-18E-75.000000
- 175-750-JBW
- D38999/26JA98JCL
- 832-10-064-10-005000
- SIT8208AI-81-25S-16.000000
- XG5M-1432-N

