商品参数
| 属性 | 参数值 | |
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| 商品目录 | 其他模块 |
| 属性 | 参数值 | |
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| 类型 | 电源管理 |
商品概述
HIP2100是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间达8ns。这为用户在死区时间选择和驱动协议方面提供了最大的灵活性。低端和高端电源均具备欠压保护功能，可强制输出为低电平。片上二极管省去了其他驱动IC所需的分立二极管。全新的电平转换器拓扑结构兼具脉冲操作的低功耗优势和直流操作的安全性。与部分竞争对手的产品不同，在高端电源短暂欠压后，高端输出能恢复到正确状态。
商品特性
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- 提供SOIC、EPSOIC和QFN封装选项
- SOIC和EPSOIC封装符合IPC - 2221的100V导体间距准则
- 无铅（符合RoHS标准）
- 自举电源最大电压达114VDC
- 片上集成1Q自举二极管
- 适用于多MHz电路的快速传播时间
- 驱动1000pF负载时，上升和下降时间典型值为10ns
- CMOS输入阈值，增强抗噪能力
- 非半桥拓扑结构可使用独立输入
- 无启动问题
- 输出不受电源毛刺、高端低于地电位振荡或高dv/dt下高端电压变化的影响
- 低功耗
- 宽电源电压范围
- 电源欠压保护
- 驱动输出电阻为3Ω
- QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）封装外形标准
- 接近芯片级封装尺寸，提高PCB效率，且外形更薄
应用领域
- 电信半桥电源
- 双开关正激变换器
- 有源钳位正激变换器
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