商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 160V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-互补对MOSFET-超小型表面贴装封装-静电放电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等-电源转换电路
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