商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 160V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 最高 6GHz 工作频率
- 在 2.45GHz 时小信号增益为 19.6dB
- 在 2.45GHz 时典型饱和输出功率(PSAT)为 45.3dBm
- 在 2.45GHz 达到饱和输出功率时效率为 68.5%
- 48V 工作电压
应用领域
- 宽带放大器
- 蜂窝网络基础设施
- 测试仪器
- WiMAX、LTE、WCDMA、GSM
- 雷达应用
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