商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 259nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.56nF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- CoolMOSTM
- 超低导通电阻(RDSon)
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 并联碳化硅(SiC)肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压(VF)具有正温度系数
- 开尔文源极便于驱动
- 极低杂散电感
- 用于电源连接的引线框架
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高度集成
应用领域
- 电机控制
- 开关模式电源
- 不间断电源
其他推荐
- HF33Y10
- 660-013B11G5-01
- MS27466T13B8B
- 6150.5515
- SIT9365AI-4E3-25E75.000000
- SIT8918AE-72-33E-50.000000
- 9025790000
- 09561625812
- MS3416-24GC
- 3QHM53D0.25-26.600
- 25QHM53C2.0-23.000
- F20B09005ACFA06E
- MTC100-BJ2-P23
- SIT1602BC-71-28S-66.660000
- PS-SR30M2
- 483-10-216-00-001101
- 65_QLA-01-0-1/122_NE
- DDME-24W7S-K126
- 5204-0027-50
- SIT8008AC-83-33E-107.900000
- SIT8008BC-83-33E-14.700000