SLG59H1008V
SLG59H1008V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- SLG59H1008V
- 商品编号
- C17302513
- 商品封装
- STQFN-18(1.6x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 4A | |
| 工作电压 | 10.8V~26.4V | |
| 导通电阻 | 13.3mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
SLG59H1008V是一款高性能的13.3 mΩ NMOS负载开关,旨在控制高达4 A的12 V或24 V电源轨。采用专有MOSFET设计,SLG59H1008V在较宽的输入电压范围内可实现稳定的13.3 mΩ RDS(ON)。通过结合新颖的FET设计和铜柱互连,SLG59H1008V封装在大电流工作时也具有较低的热阻。 SLG59H1008V的工作温度范围为 -40 ℃至85 ℃,采用低散热、符合RoHS标准的1.6x3.0 mm STQFN封装。
商品特性
- 通过UL2367认证 - 文件编号E468659
- 宽工作输入电压:12 V或24 V
- 最大连续电流:4 A
- 自动nFET安全工作区(SOA)保护
- 5 W SOA保护阈值
- 高性能MOSFET开关
- 低RDS(ON):在VIN = 24 V时为13.3 mΩ
- 低ΔRDS(ON)/ΔVIN < 0.05 mΩ/V
- 低ΔRDS(ON)/ΔT < 0.06 mΩ/℃
- 引脚可选的12 V/24 V输入过压和欠压锁定
- 电容可调的浪涌电流控制
- 两级电流限制保护:电阻可调的有源电流限制、内部短路电流限制
- 开漏故障信号
- MOSFET电流模拟输出监控:10 μA/A
- 快速4 kΩ输出放电
- 无铅/无卤素/符合RoHS标准的封装
应用领域
- 企业计算与电信设备
- 5 V和12 V负载点电源分配
- PCI/PCIe适配卡
- 通用高压电源轨开关
- 多功能打印机
- 风扇电机控制
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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