TT8M3TR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A 电流:2.5A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- TT8M3TR
- 商品编号
- C17300650
- 商品封装
- TSST-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@1.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.327Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）
应用领域
- 开关稳压器
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