商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
L6494L是采用BCD6 “离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。该器件的两个输出端能够吸收2.5 A电流并提供2 A电流，这使得L6494L特别适用于中高容量的功率MOSFET/IGBT。集成的自举二极管以及该驱动器的所有集成特性，使应用的PCB设计更简单、更紧凑，并有助于减少总体物料清单。EVAL6494L板允许在驱动TO - 220或TO - 247封装的功率开关时评估L6494L的所有特性。该板允许轻松选择和修改相关外部组件的值，以便在不同应用条件下轻松评估驱动器性能，并对最终应用组件进行精细预调。
商品特性
- 驱动电流能力：源电流2 A，灌电流2.5 A
- 集成自举二极管
- 单输入和关断引脚
- 可调节死区时间
- 带迟滞的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 高端和低端部分均有欠压锁定（UVLO）
- 在全温度范围内dV/dt抗扰度为50 V/ns
- 紧凑且简化的布局
- 减少物料清单
- 灵活、简便且快速的设计