NTE5641
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 200V | |
| 通态电流(It) | 2.5A | |
| 门极触发电流(Igt) | 25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电压(Vgt) | 2.2V | |
| 保持电流(Ih) | 15mA | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压(门极开路,TJ = +100°C):NTE5640为100V,NTE5641为200V,NTE5642为400V,NTE5643为600V
- 均方根导通电流(TC = +75°C,导通角360°):2.5A
- 峰值浪涌(非重复)导通电流(50Hz或60Hz下一个周期):30A
- 峰值门极触发电流(3μs最大值):1A
- 峰值门极功率耗散(IGT ≤ IGTM,3μs最大值):20W
- 平均门极功率耗散:200mW
- 熔断电流(用于双向可控硅保护,T = 1.25至10ms):3A²s
- 工作温度范围:-40°C至+100°C
- 储存温度范围:-40°C至+150°C
- 典型热阻,结到外壳:4°C/W
- SIT8209AC-81-25S-133.000000
- SIT9365AI-2B3-30N150.000000
- 4303.0003
- ZSS-108-01-G-D-530
- 6609948-4
- 660-004B16S7-01
- 3QHM572D3.0-16.384
- 3452-6600
- 18-3625-11
- ACAG1204-868-EVB
- PXP7088/0507
- 2-1600636-6
- SIT8208AI-32-33E-52.428800
- 3QHM572C2.0-133.333
- 82_SMC-50-0-1/111_NH
- 12810100
- MC145572PBR2
- 1722992216
- SIT1602BC-31-33E-12.000000
- SIT1602BI-13-25N-35.840000
- 380-10-135-00-001000

