商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 241A | |
| 耗散功率(Pd) | 690W |
商品概述
MSCSM70AM10T3AG器件是一款全桥700V、241A相臂碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。
商品特性
- SiC功率MOSFET - 高速开关
- 低导通电阻RDS(on)
- 超低损耗
- 开尔文源极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 采用氮化铝（AlN）基板，提高热性能
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动
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