BLF578,112

这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

• 在频率为 225 MHz、电源电压为 50 V、静态漏极电流 (IDq) 为 40 mA、脉冲宽度 (tp) 为 100 μs、占空比 (δ) 为 20% 时的典型脉冲性能:
• 输出功率 = 1200 W
• 功率增益 = 24 dB
• 效率 = 71 %
• 易于进行功率控制
• 集成静电放电 (ESD) 保护
• 出色的耐用性
• 高效率
• 出色的热稳定性
• 专为宽带运行设计(10 MHz 至 500 MHz)
• 符合关于限制有害物质 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令

• 工业、科学和医疗应用
• 广播发射机应用