EM6HE16EWAKG-10IH
256Mx16bit DDR3L同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- ETRON(钰创)
- 商品型号
- EM6HE16EWAKG-10IH
- 商品编号
- C17296155
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步 |
商品概述
4Gb双倍数据速率第三代低功耗同步动态随机存取存储器采用双倍数据速率架构以实现高速运行,内部配置为八存储体结构。该芯片组织为32M位×16输入/输出×8存储体器件,这些同步器件可实现高达每秒每引脚1866兆比特的双倍数据速率传输速率,适用于通用应用。该芯片设计符合所有关键的DDR3L动态随机存取存储器特性,所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点被锁存。所有输入/输出均以源同步方式与差分数据选通对同步。这些器件采用单路+1.35V -0.067V / +0.1V电源供电,并提供球栅阵列封装。
商品特性
- 符合JEDEC标准
- 电源:VDD & VDDQ = +1.35V
- 向后兼容VDD & VDDQ = +1.5V ±0.075V
- 工作温度:TC = -40~95℃(工业级)
- 支持JEDEC时钟抖动规范
- 完全同步操作
- 快速时钟速率:800/933MHz
- 差分时钟,CK与CK#
- 双向差分数据选通 - DQS与DQS#
- 8个内部存储体用于并发操作
- 8n位预取架构
- 流水线内部架构
- 预充电和激活省电模式
- 可编程模式寄存器和扩展模式寄存器
- 附加延迟:0,CL-1,CL-2
- 可编程突发长度:4,8
- 突发类型:顺序/交错
- 输出驱动器阻抗控制
- 写入均衡
- ZQ校准
- 动态片内终端电阻
- 符合RoHS标准
- 自动刷新和自刷新
- 96球7.5×13.5×1.2mm细间距球栅阵列封装
- 无铅无卤素
- IS46TR16128DL-107MBLA1
- SI5338M-B14076-GMR
- IS43R16320E-5BL
- 9DB102BGLFT
- SI5338B-B10567-GM
- AS4C64M32MD1-5BIN
- NDS38PT5-16ET
- IS42S16320F-6BLI-TR
- IS46TR16256B-107MBLA2-TR
- SI5338N-B13446-GMR
- SI5338C-B01271-GMR
- NDB16PFC-5EIT TR
- S70KL1282GABHI023
- SI5338C-B04266-GM
- S70KS1283GABHI023
- IS42VM16800H-75BLI
- 2727R-20H
- 1890442
- 1.10.011.101/0441
- 25QHM53C1.0-65.000
- 1027614

