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MCCD2005-TP

2个N沟道耐压:20V 电流:8A

品牌名称: MCC(美微科)
商品型号: MCCD2005-TP
商品编号: C17295722
商品封装: DFN2030-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.045克(g)

商品参数

商品概述

BLM9D2327S - 50PB(G)是一款采用安谱隆（Ampleon）先进的GEN9 LDMOS技术的双路、两级全集成Doherty单片微波集成电路（MMIC）解决方案。每一路的载波和峰值器件、输入功分器和输出合路器都集成在一个封装内。这款多频段器件非常适合作为2300 MHz至2700 MHz频率范围内的通用驱动器或小基站末级功放。提供鸥翼型或扁平引脚封装。

商品特性

先进的沟槽式MOSFET工艺技术
超低导通电阻与低栅极电荷
可应要求添加后缀“-HF”提供无卤产品
环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
湿气敏感度等级1级

应用领域

用于2300 MHz至2700 MHz频率范围内多载波、多标准的全球移动通信系统（GSM）、宽带码分多址（W - CDMA）和长期演进（LTE）基站的射频功率MMIC。
双路或单端应用
正交合成应用
推挽应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	27mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	17.9nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.8nF
	反向传输电容(Crss)	200pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	共漏
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	230pF