- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FB50R07W2E3C36BPSA1
FB50R07W2E3C36BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FB50R07W2E3C36BPSA1
- 商品编号
- C17295583
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500nC@400V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.1nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 95pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 180ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.37mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.17mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 电气特性 - VCES = 650 V - ICnom = 50 A / ICRM = 100 A - 沟槽式IGBT 3 - 低开关损耗
- 机械特性 - 具有低热阻的Al₂O₃基板 - 紧凑设计 - 压接式接触技术 - 由于集成安装夹而实现坚固安装
应用领域
- 工业应用
- 8532R-38L
- XQERDO-H0-0000-000000702
- CTSRU1048F-2R2N
- STR6S161HXD
- S75005T-12.000-R
- 1054291108
- 516-038-520-300
- 750845150
- 3522-26-0100-99
- 67F040-0406
- 630-43W2650-1NB
- DC1256A
- BLU0805-4640-BT25W
- SG2016CAN 4.0000M-TJGA3
- BPCF00070728330M00
- 6STD09SAR99E10X
- LTMM-107-02-H-D-SM-LC-TR
- SG-8018CE 7.327810M-TJHSA0
- MLCSWT-A1-0000-000WE5
- EV-BT832A
- RC1608F910CS