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STGAP4STR
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- 描述
- 是一款用于IGBT和SiC MOSFET的电流隔离式单栅极驱动器，具有先进的保护、配置和诊断功能。通过真正的电流隔离，将通道栅极驱动与控制和低压接口电路隔离开来。独特的输出架构允许使用外部MOSFET推挽级，在电流能力确定方面具有灵活性，并便于并联使用多个功率开关。2个预驱动器输出的特点是针对该拓扑优化了电流能力和输出电压摆幅，并允许使用负栅极驱动电源
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGAP4STR
- 商品编号
- C17291719
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 7.2V~24V | |
| 传播延迟 tpLH | 60ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 60ns | |
| 特性 | 欠压保护；短路保护；过热保护；过流保护；过压保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.046V~2.376V | |
| 输入低电平(VIL) | 957mV~1.221V | |
| 静态电流(Iq) | 7mA |
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