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STGAP4STR

汽车用先进隔离式IGBT和SiC MOSFET栅极驱动器

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描述: 是一款用于IGBT和SiC MOSFET的电流隔离式单栅极驱动器，具有先进的保护、配置和诊断功能。通过真正的电流隔离，将通道栅极驱动与控制和低压接口电路隔离开来。独特的输出架构允许使用外部MOSFET推挽级，在电流能力确定方面具有灵活性，并便于并联使用多个功率开关。2个预驱动器输出的特点是针对该拓扑优化了电流能力和输出电压摆幅，并允许使用负栅极驱动电源
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STGAP4STR
商品编号: C17291719
商品封装: SO-36W
包装方式: 编带
商品毛重: 0.8克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	60ns
	传播延迟 tpHL	60ns
	特性	欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)；过热保护(OTP)；过流保护(OCP)；过压保护(OVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.046V~2.376V
	输入低电平(VIL)	957mV~1.221V
	静态电流(Iq)	7mA
	功能特性	使能关断；死区时间控制；过流保护

商品概述

STGAP4S是一款用于IGBT和SiC MOSFET的电流隔离式单栅极驱动器，具备先进的保护、配置和诊断功能。STGAP4S的架构通过真正的电流隔离，将通道栅极驱动与控制和低压接口电路隔离开来。独特的输出架构允许使用外部MOSFET推挽级，在电流能力设计方面具有灵活性，并便于并联使用多个功率开关。两个预驱动器输出的特点是针对该拓扑优化了电流能力和输出电压摆幅，并允许使用负栅极驱动电源。集成的隔离反激式电源控制器允许使用少量外部组件生成正负栅极驱动器电压，从而节省PCB空间。保护功能包括米勒钳位驱动器、去饱和和过流检测、欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO），便于设计高可靠性系统。驱动器中集成了温度传感器。设有开漏诊断输出，可通过SPI监控详细的设备状态。每个功能的参数都可以通过SPI进行编程，使该设备非常灵活，适用于广泛的应用。

商品特性

通过AEC-Q100认证
高压轨高达1200 V
两个输出引脚，可直接驱动外部MOSFET缓冲器
驱动器电流能力：OUT1：灌电流/拉电流0.6/2.5 A；OUT2：灌电流/拉电流2.4/0.6 A
负栅极驱动能力
在全温度范围内，dV/dt瞬态抗扰度为±100 V/ns
集成隔离反激式电源控制器
用于外部N沟道MOSFET的有源米勒钳位驱动器
可编程去饱和检测
可编程过流检测
软关断
VCE有源钳位
两个诊断状态输出
每个电源上的可编程欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO）
可编程输入消抖滤波器
异步停止命令
隔离式8位A/D转换器
集成温度传感器
可编程死区时间，带违规错误
用于参数编程和扩展诊断的SPI接口
温度警告和关断保护
保护功能的自诊断程序

应用领域

电动汽车/混合动力汽车逆变器
600/1200 V工业逆变器
电动汽车充电站
UPS设备
太阳能逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	2.5A
	工作电压	7.2V~24V
	上升时间(tr)	-
	下降时间(tf)	-