商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@5mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 29kΩ | |
| 电阻比率 | 1.1 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA |
商品概述
内置电阻的晶体管可通过减少元件数量和简化电路设计,成为出色的节省空间和成本的解决方案。
商品特性
- 100 mA输出电流能力
- 内置偏置电阻(R₁ = 22 kΩ,R₂ = 22 kΩ)
应用领域
- 开关、接口和驱动电路
- 反相器
- 工业领域的数字应用
- 0702464402
- FR85DR02
- D38999/20MD35HNL
- L130-5090HB30000B5
- 67B-PA-3C-U-04C
- 409-10007-C
- N3428-1003RB
- 4300.0104
- 1-2000713-2
- 983-3R-C 10
- SI8230BD-AS
- GCM1885C2A4R8CA16J
- MTE4064NK2-UR
- CTCDRH5D28RF-220N
- NRNE153F3935B2G
- 25QHM53C1.0-59.904
- ES1000/10DSFB
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- SIT8208AI-33-28S-16.368000
- SIT8008BC-22-18E-45.158400
- DDMZ24W7PZK87


