SI6562CDQ-T1-BE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6.1A 电流:5.1A 电流:5.7A 电流:6.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:无卤素TrenchFET功率MOSFET。 LITTLE FOOT TSSOP-8 MOSFETs比LITTLE FOOT SOICs占用空间更小、外形更低,同时保持低导通电阻和高散热性能。 LITTLE FOOT TSSOP-8功率MOSFET所需的PC板面积约为同等LITTLE FOOT器件的一半。 封装高度降至1.1 mm。 标准引脚排列的改变使互连电阻对导通电阻的影响最小化,并使热量从封装中传递最大化。 单芯片的最大热阻结到环境为83℃/W,双芯片部件为125℃/W。应用:负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6562CDQ-T1-BE3
- 商品编号
- C17289009
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF;1.2nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 无线充电 DC-DC转换器 电源管理
商品特性
- 无卤
- TrenchFET功率MOSFET
应用领域
- 负载开关
- DC/DC转换器
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET
其他推荐
- FWLF16217D47-C
- JR5050AWT-P-H40EH0000-N0000001
- QEDB501Q120F1GV001E
- CD214A-S1Q
- M80-8510845
- 530CB25M0020DGR
- 628-13W3222-3TA
- SG-8018CA 81.3600M-TJHPA0
- DF08-G
- GCM319R71H124KA37D
- IS22TF16G-JCLA2-TR
- 638-062-630-262
- DTA123JEBTL
- MXO45HST-3I-40M000000
- TFC-110-02-F-D-LC
- 1053093707
- SG-8018CE 14.4756M-TJHSA0
- XTEAWT-E0-0000-00000BHE6
- VS-C4PH6006LHN3
- CMD15-21VYD/TR8
- SG-8018CA 4.294970M-TJHSA0
