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SI6562CDQ-T1-BE3实物图
  • SI6562CDQ-T1-BE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI6562CDQ-T1-BE3

1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6.1A 电流:5.1A 电流:5.7A 电流:6.7A

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描述
特性:无卤素TrenchFET功率MOSFET。 LITTLE FOOT TSSOP-8 MOSFETs比LITTLE FOOT SOICs占用空间更小、外形更低,同时保持低导通电阻和高散热性能。 LITTLE FOOT TSSOP-8功率MOSFET所需的PC板面积约为同等LITTLE FOOT器件的一半。 封装高度降至1.1 mm。 标准引脚排列的改变使互连电阻对导通电阻的影响最小化,并使热量从封装中传递最大化。 单芯片的最大热阻结到环境为83℃/W,双芯片部件为125℃/W。应用:负载开关。 DC/DC转换器
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI6562CDQ-T1-BE3
商品编号
C17289009
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.135克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.7A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
输入电容(Ciss)850pF;1.2nF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 无线充电 DC-DC转换器 电源管理

商品特性

  • 无卤
  • TrenchFET功率MOSFET

应用领域

  • 负载开关
  • DC/DC转换器
  • N沟道MOSFET
  • P沟道MOSFET

数据手册PDF