商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 820 | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 300nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 采用EMT封装的两颗2SD2654芯片。
- 可使用EMT3自动贴装机进行贴装。
- 晶体管元件相互独立,可消除干扰。
- 贴装成本和面积可减半。
- XPGWHT-L1-R250-00CF8
- CMB1818-R096-000N0H0A35H
- 4302-391F
- DVK91220 - SOIC8
- CTCDRH6D28F-8R6N
- APCF001313756R8T00
- PRV6SAABAYB25502KA
- XPGBWT-01-0000-00LF7
- RMPG06JHE3_A/53
- GMA.2B.040.DG
- 510GCA125M000CAGR
- S525025T-32.000-R
- 630-5W1-250-3NB
- SIT8208AC-G3-33E-24.000000Y
- JAN1N5289-1/TR
- SG-8018CG 18.5000M-TJHSA0
- 2122100061
- PG2292.700HLT
- 67L130-0036
- SFH210-PPVC-D17-ID-BK-M207
- 3025W3PAM99A30X
