温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ALD110914SAL

2个N沟道耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: ALD
商品型号: ALD110914SAL
商品编号: C17287555
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

ALD110814/ALD110914是高精度单片四/双增强型N沟道MOSFET,采用ALD成熟的EPAD® CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。 ALD110814/ALD110914 MOSFET在设计和制造上具有出色的器件电气特性匹配性。由于这些器件集成在同一单片芯片上,它们还具有出色的温度系数跟踪特性。每个器件作为电路元件用途广泛,是众多模拟应用中实用的设计组件。它们是电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。 ALD110814/ALD110914器件的设计旨在实现最小失调电压和差分热响应,适用于+1.5V至+10V系统中的开关和放大应用,这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。 ALD110814/ALD110914适用于需要非常高电流增益(β)的精密应用,如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益使得通过控制栅极的电流损耗极低。直流电流增益受栅极输入泄漏电流限制,室温下该电流规定为30pA。

商品特性

增强型(常开)
标准栅极阈值电压:+1.40V
MOSFET之间特性匹配
严格的批次间参数控制
MOSFET并联以增加漏极电流
低输入电容
VGS(th)匹配至10mV
高输入阻抗 — 典型值10^12 Ω
正、零和负VGS(th)温度系数
直流电流增益>10^8
低输入和输出泄漏电流

应用领域

-精密电流镜-精密电流源-电压斩波器-差分放大器输入级-分立电压比较器-电压偏置电路-采样保持电路-模拟反相器-电平转换器-源极跟随器和缓冲器-电流倍增器-分立模拟多路复用器/矩阵-分立模拟开关

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10.6V
	连续漏极电流(Id)	12mA
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-