- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FS150R12N3T4B80BPSA1
FS150R12N3T4B80BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FS150R12N3T4B80BPSA1
- 商品编号
- C17287023
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25uC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 9.35nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 350pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 115ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 370ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 16mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- V_CES = 1200 V
- I_Cnom = 150 A / I_CRM = 300 A
- 低 V_CEsat
- 沟槽型 IGBT 4
- T_vjop = 150°C
- V_CEsat 具有正温度系数
- 采用低热阻的 Al₂O₃ 基板
- 高功率和热循环能力
- 集成 NTC 温度传感器
- 铜基板
- 标准外壳
- 具备 H₂S 耐受性
应用领域
- 辅助逆变器
- 电机驱动器
- 伺服驱动器
- BPSD00060525151K00
- CDC4D20NP-152KC
- 164A12359X
- SIT8208AI-2F-28E-18.432000Y
- 103639-9
- SDNT0603C103H3900HTF
- FAM1-100-100-0.2-1A
- MTGBEZ-01-0000-0X00M035F
- IPT1-FP
- XBDAWT-00-0000-00000BGE4
- SLA40476B-90L
- 5022-912H
- SG-8018CB 24.545452M-TJHPA0
- 76602-155
- UFS530GE3/TR13
- 12890
- 628-009-371-256
- FWLF1634RL34-C
- 93447-1021
- SIT8208AC-8F-33S-16.369000Y
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