商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,11.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型无引脚超薄DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 开关速度极快
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 外露漏极焊盘，导热性能优异
应用领域
- 便携式设备充电开关
- 电池供电便携式设备的电源管理
- DC-DC转换器
- 硬盘和计算机电源管理
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