- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型无引脚超薄DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 易于并联使用
- 无铅电镀;符合 RoHS 标准
应用领域
-开关应用
- SG-8018CE 76.0000M-TJHPA0
- 504193-1200
- S333025T-32.768K-R
- SG-8018CE 33.9810M-TJHPA0
- LFSPXO056263REEL
- CA50C2502HLT
- AWH 60G-E232-IDC
- L128-5780NA3500001
- 0400LP15A0122001E
- S12510T-19.200-X1-R
- 748826-2
- XMLDCL-H0-0000-00A4ACBA2
- WLPN808042N4R7LE
- MAX96701COAXEVKIT#
- SIT8208AI-8F-33S-62.500000T
- SIT8208AI-GF-33E-32.768000T
- XPGBWT-L1-0000-00GZ8
- 82-5151.1134.B002
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- MX6AWT-A1-0000-0009A9
- QSCT251Q1R8C1GV001E