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SSM6L820R,LXHF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的产品编号列表）。 低漏源导通电阻: -Q1 N沟道: -RDS(ON)=39.1 mΩ（最大值）（@VGS = 4.5 V）。 -RDS(ON)=53 mΩ（最大值）（@VGS = 2.5 V）。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6L820R,LXHF
- 商品编号
- C17286120
- 商品封装
- TSOP-6-F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 157mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻
- Q1 N 沟道:RDS(ON) = 39.1 mΩ(最大值)(@ VGS = 4.5 V)
- Q1 N 沟道:RDS(ON) = 53 mΩ(最大值)(@ VGS = 2.5 V)
- Q1 N 沟道:RDS(ON) = 82 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.8 V)
- Q2 P 沟道:RDS(ON) = 45 mΩ(最大值)(@ VGS = -10 V)
- Q2 P 沟道:RDS(ON) = 56 mΩ(最大值)(@ VGS = -4.5 V)
- Q2 P 沟道:RDS(ON) = 76 mΩ(最大值)(@ VGS = -2.5 V)
- Q2 P 沟道:RDS(ON) = 157 mΩ(最大值)(@ VGS = -1.8 V)
应用领域
- 电源管理开关
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